原文由 wmj31(wmj31) 发表:
原文由 shufengliu(shufengliu) 发表:
脉冲供电是为了光源调制,从而利于采集信号。这能把杂散光区别出来。但对分子吸收,无能为力。
但与直流供电相比,脉冲供电的方式信号采集的时间更少,分子吸收的吸光度更小。
供电方式并不影响分子吸收啊,如果分子的吸收谱线(我对分子吸收的理解是,分子其实也是有分子轨道组成的,而分子轨道上电子的跃迁,从而产生了分子吸收),与
原子吸收的谱线是邻近的,又因为原子谱线是一个带状光谱,因而只有符合这个带状光谱内的谱线都会产生吸收(因为任何谱线都不是单色的,好像有个测不准的原理解析了这个现象,所以产生的是带状光谱),同时我们的分光系统能力是有限的,具体多少我印象记得好像是0.03nm(希望老师可以具体说明一下),就算是ICP的中级阶梯光栅好像也只能到0.005nm,但我们的原子谱线是很窄。因为进去检测器的光包括了几个部分,一个是
原子吸收线的直接重叠(光谱干扰){请问一下各位老师,这个干扰纵向塞曼扣背景也是扣除不了的,这样的说法对吗???},一个是临近谱线,但是落在0.03nm这个宽度内,我其实想知道就是第二种情况产生的背景扣除不了,是否对结果影响??可能还有一些火焰背景辐射,光散射还有原子化器的吸收。这些我搞不懂。
如果有老师愿意解析一下,光散射对石墨炉的影响,在纵向塞曼扣背景下是否可以完美的扣除??因为我们的是交变磁场的,因为不是交替着的,光散射是一个恒定的散射还是瞬时??我们的应该不算是实时扣除吧?