主题:【讨论】300nm以上的背景怎么办?

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水星
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那300以下用自吸和氘灯岂不是扣了两次,那岂不是降低了检出限
夕阳
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原文由 水星(woshibengburen) 发表:
那300以下用自吸和氘灯岂不是扣了两次,那岂不是降低了检出限


前面不是已经写明了嘛,氘灯法扣紫外区的背景,自吸法扣除可见区的背景。不会有谁连着扣两次背景的,并且仪器也无此设计?
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2011/10/24 7:31:33 Last edit by anping
zhenzhu8938
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原文由 夕阳(anping) 发表:
原文由 水星(woshibengburen) 发表:
那300以下用自吸和氘灯岂不是扣了两次,那岂不是降低了检出限


前面不是已经写明了嘛,氘灯扣紫外区的背景,自吸法扣除可见区的背景。谁那么傻啊,连着扣两次?

  呵呵,那请问一下夕阳老师:我们的PE AA800印象记得只有氘灯的,那300nm以上的好像有些也是得做的,那这些数据的准确性如何保证??是不是就不能做了?还有用火焰发做发射,里面的背景怎么办??没见有扣除??那为什么还可以做发射法?(因为ICP—AES这里扣背景是有很多方法,但可能由于其谱线复杂和光谱干扰存在,但火焰发射法的背景我感觉是肯定存在的,但没见有什么手段来扣除)
用心飞
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关于350纳米以上的背景,我做过Cr(360左右),石墨炉都是很小的,都可以忽略。火焰就更不用说了。但对于稀土元素,火焰可能都要求塞曼方式。
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2011/12/3 17:52:18 Last edit by shufengliu
jack510070
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原子吸收中的背景吸收主要是共存的金属卤化物的分子吸收,这类背景集中在350nm以下,因此前面的朋友回答是合理的。至于光散射,无论是火焰还是石墨炉,光谱分布还是集中在短波长处。当然,并非意味着超过350nm就不需要背景校正,夕阳老师说的对:这就是氘灯背景校正的缺陷。不过,据我所知,国产仪器大多数同时装备氘灯和自吸背景校正的,至少普析的、北分瑞利的和东西电子的都有。
wmj31
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原文由 zhenzhu8938(zhenzhu8938) 发表:
原文由 zwyu(zwyu) 发表:
300nm以上的火焰背景一般较弱,实用中可以不扣。

原文由 zhenzhu8938(zhenzhu8938) 发表:
那300nm以上的,就不能用PE的火焰来测试了??

  这是什么理论支持下的说法?是根据灯发射来说吗?空心阴极灯很少有300nm以上的发射?但如果要测量300nm以上的话,灯肯定会发射到300nm以上的光。但产生的光谱背景可能是分子吸收,在紫外-可见的这个仪器上,分子吸收是很多的,如果这些分子在样品基体中,怎么会少呢?
  不过火焰我还真的没有做过多少次,但是它的光谱背景如果是来源于分子吸收的,我们应该不可能忽视,我就不知道它强弱是怎么跟波长(300nm)有联系的??

在紫外-可见的这个仪器上,分子吸收是很多的,如果这些分子在样品基体中,怎么会少呢?紫外-可见和原子吸收的是不一样的。
紫外-可见是先分光后再通过吸收池,而原吸是先通过原子化器后再进行分光,分光后,在原子吸收的的通带为0.Xnm的通带下,分子吸收其实是很少的,而且原子吸收的灯电源是使用脉冲供电的方式,信号的采集只是发生在最大瞬间电流上,时间很短。纯属个人看法。
用心飞
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原文由 wmj31(wmj31) 发表:
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原文由 zwyu(zwyu) 发表:
300nm以上的火焰背景一般较弱,实用中可以不扣。

原文由 zhenzhu8938(zhenzhu8938) 发表:
那300nm以上的,就不能用PE的火焰来测试了??

  这是什么理论支持下的说法?是根据灯发射来说吗?空心阴极灯很少有300nm以上的发射?但如果要测量300nm以上的话,灯肯定会发射到300nm以上的光。但产生的光谱背景可能是分子吸收,在紫外-可见的这个仪器上,分子吸收是很多的,如果这些分子在样品基体中,怎么会少呢?
  不过火焰我还真的没有做过多少次,但是它的光谱背景如果是来源于分子吸收的,我们应该不可能忽视,我就不知道它强弱是怎么跟波长(300nm)有联系的??

在紫外-可见的这个仪器上,分子吸收是很多的,如果这些分子在样品基体中,怎么会少呢?紫外-可见和原子吸收的是不一样的。
紫外-可见是先分光后再通过吸收池,而原吸是先通过原子化器后再进行分光,分光后,在原子吸收的的通带为0.Xnm的通带下,分子吸收其实是很少的,而且原子吸收的灯电源是使用脉冲供电的方式,信号的采集只是发生在最大瞬间电流上,时间很短。纯属个人看法。
脉冲供电是为了光源调制,从而利于采集信号。这能把杂散光区别出来。但对分子吸收,无能为力。
wmj31
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原文由 shufengliu(shufengliu) 发表:
脉冲供电是为了光源调制,从而利于采集信号。这能把杂散光区别出来。但对分子吸收,无能为力。


但与直流供电相比,脉冲供电的方式信号采集的时间更少,分子吸收的吸光度更小。
zhenzhu8938
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原文由 wmj31(wmj31) 发表:
原文由 shufengliu(shufengliu) 发表:
脉冲供电是为了光源调制,从而利于采集信号。这能把杂散光区别出来。但对分子吸收,无能为力。


但与直流供电相比,脉冲供电的方式信号采集的时间更少,分子吸收的吸光度更小。

  供电方式并不影响分子吸收啊,如果分子的吸收谱线(我对分子吸收的理解是,分子其实也是有分子轨道组成的,而分子轨道上电子的跃迁,从而产生了分子吸收),与原子吸收的谱线是邻近的,又因为原子谱线是一个带状光谱,因而只有符合这个带状光谱内的谱线都会产生吸收(因为任何谱线都不是单色的,好像有个测不准的原理解析了这个现象,所以产生的是带状光谱),同时我们的分光系统能力是有限的,具体多少我印象记得好像是0.03nm(希望老师可以具体说明一下),就算是ICP的中级阶梯光栅好像也只能到0.005nm,但我们的原子谱线是很窄。因为进去检测器的光包括了几个部分,一个是原子吸收线的直接重叠(光谱干扰){请问一下各位老师,这个干扰纵向塞曼扣背景也是扣除不了的,这样的说法对吗???},一个是临近谱线,但是落在0.03nm这个宽度内,我其实想知道就是第二种情况产生的背景扣除不了,是否对结果影响??可能还有一些火焰背景辐射,光散射还有原子化器的吸收。这些我搞不懂。
    如果有老师愿意解析一下,光散射对石墨炉的影响,在纵向塞曼扣背景下是否可以完美的扣除??因为我们的是交变磁场的,因为不是交替着的,光散射是一个恒定的散射还是瞬时??我们的应该不算是实时扣除吧?
zhenzhu8938
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不好意思,这里说乱了,我其实想知道就是,分子吸收是第一种情况,吸收了空心阴极灯发出的锐线光源,第二种情况,应该属于一些杂光,应该是检测器检测除分子,原子吸收外的其他光进入了检测器(我一开始的理解是火焰发射),我想知道就是第一种情况下,300nm以上的怎么办了?
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