主题:【原创】电离抑制效应

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阶前尘
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看到版面上有人考虑电离抑制效应,那我们就来普及一下电离抑制效应的原理。

电离抑制 效应指在有大量易电离元素存在的等离子体中,这些易电离元素会优先电离,导致等离子体中存在了大量的电子,而这些电子会去结合那些不易电离的元素而电离出来的离子重新成为原子,导致这些不易电离的元素电离出来的离子数减少,进而影响了计数值。。

减少电离抑制效应的最常用的方式就是将样样品稀释。但是有时候稀释也不顶用,因为稀释了以后待测元素含量过低,无法精确测量。

不过还有一种方法可以减少电离抑制效应的干扰,那就是采用内标或者标准加入法。但是内标的选择要求是和待测元素电离能接近,质量数接近。

比如测Se的时候可以选择Ge作为内标。
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还可以将溶剂去掉,这样最容易电离的H和O去掉了,降低电离抑制效应的同时,还可以提高灵敏度。
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envirend
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还可以将溶剂去掉,这样最容易电离的H和O去掉了,降低电离抑制效应的同时,还可以提高灵敏度。


溶剂去掉后如何理解?变为固体,大部分仪器无法分析啊
nphfm2009
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去除溶剂可以用膜去溶技术
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去除溶剂可以用膜去溶技术


可以介绍一下,现在高盐分析是个难点
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qin-qin
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对于高盐分析,膜去溶技术是不无法完全排除基质干扰?

只能去除溶剂H、O、N、Cl、等干扰,高含量的其他基质如何解决?
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光哥
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去除溶剂可以用膜去溶技术


可以介绍一下,现在高盐分析是个难点


膜去溶装置不能降低高盐的分析难度吧?

这个印象里用THERMO机器发表的一些文章里应该要比较多一些。感觉这个东西和ICPMS的联用,T家的推荐得相对多一些。

例如:http://bbs.instrument.com.cn/shtml/20060208/337128/http://www.instrument.com.cn/netshow/C11059.htmhttp://wenku.baidu.com/view/150dd5dca58da0116c17492d.html
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光哥
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电离抑制除了产生大量电子而导致不易电离元素更加不易电离之外,个人感觉还有如下因素:
ICP火焰中提供的能量基本是固定不变的(火焰温度在引入样品溶液前后变化不大),参与电离的物质中,基体元素含量过高,竞争性地夺取了大量的能量,从而使低浓度、难电离的目标元素离子化效率进一步降低?

是否上述因素影响也会影响,请指正。
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sasha
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原文由 古道西风瘦马(handc) 发表:
还可以将溶剂去掉,这样最容易电离的H和O去掉了,降低电离抑制效应的同时,还可以提高灵敏度。


溶剂去掉后如何理解?变为固体,大部分仪器无法分析啊


与激光串联就可以固体直接进样,实现在线、无损检测
古道西风瘦马
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还可以将溶剂去掉,这样最容易电离的H和O去掉了,降低电离抑制效应的同时,还可以提高灵敏度。


溶剂去掉后如何理解?变为固体,大部分仪器无法分析啊


与激光串联就可以固体直接进样,实现在线、无损检测


激光剥蚀本身是有损检测。另外,激光博士本身的基体效应比溶液的更加复杂,到现在很多分析都是难题。
古道西风瘦马
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原文由 qin-qin(qin-qin) 发表:
对于高盐分析,膜去溶技术是不无法完全排除基质干扰?

只能去除溶剂H、O、N、Cl、等干扰,高含量的其他基质如何解决?


没有一项在线技术能够完全去除基体的干扰问题,只能降低。要想去除干扰,只能通过选择性分离的化学前处理。

至于膜去溶技术,实际应该叫膜去溶剂技术,其原理是在半透膜上实现只有水分和一些挥发性小分子可以透过,而分析物的气溶胶依然保留,并被载气带入到等离子炬中。在这个过程中,虽然进样量比较小(一般50-100ul),但是在高温下基本全部转化为气溶胶,所以“雾化效率”非常高,几乎为100%。由于基本上没有了水,所以在使用膜去溶后,氧化物产率明显降低,当然还有我们很少关注的氢化物产率也会降低。同时,由于在等离子体炬中没有水和各个元素去抢能量,所以高电离能元素电离效率大大增加。这些因素的综合结果就是灵敏度的大幅提升和基体效应的降低。

需要注意的是,膜去溶技术不能解决高盐样品问题,因为很细的进样管很容易被高盐样品堵塞。当然,因为灵敏度的提升,你可以先适当稀释之后测试。

安捷伦另外做了一个高盐的进样装置,类似色谱进样的技术。具体的过程忘记了,好像是将高盐样品采用六通阀封在一段50ul左右的管子中,然后脉冲进样。结果貌似也不错。
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2012/12/12 16:47:02 Last edit by jieqian1211
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