原文由 qin-qin(qin-qin) 发表:
对于高盐分析,膜去溶技术是不无法完全排除基质干扰?
只能去除溶剂H、O、N、Cl、等干扰,高含量的其他基质如何解决?
没有一项在线技术能够完全去除基体的干扰问题,只能降低。要想去除干扰,只能通过选择性分离的化学前处理。
至于膜去溶技术,实际应该叫膜去溶剂技术,其原理是在半透膜上实现只有水分和一些挥发性小分子可以透过,而分析物的气溶胶依然保留,并被载气带入到等离子炬中。在这个过程中,虽然进样量比较小(一般50-100ul),但是在高温下基本全部转化为气溶胶,所以“雾化效率”非常高,几乎为100%。由于基本上没有了水,所以在使用膜去溶后,氧化物产率明显降低,当然还有我们很少关注的氢化物产率也会降低。同时,由于在等离子体炬中没有水和各个元素去抢能量,所以高电离能元素电离效率大大增加。这些因素的综合结果就是灵敏度的大幅提升和基体效应的降低。
需要注意的是,膜去溶技术不能解决高盐样品问题,因为很细的进样管很容易被高盐样品堵塞。当然,因为灵敏度的提升,你可以先适当稀释之后测试。
安捷伦另外做了一个高盐的进样装置,类似色谱进样的技术。具体的过程忘记了,好像是将高盐样品采用六通阀封在一段50ul左右的管子中,然后脉冲进样。结果貌似也不错。