原文由 天黑请闭眼(shxie) 发表:原文由 蓝莓口香糖(drizzlemiao) 发表:
真是悲剧。为什么减速后二次电子会减少呢?如果原先是3kV,加2kV的减速之后变成1kV落地,这两种状态下确实是前者信号要强一些。JEOL是把2kV反馈到电子枪上。如果原先是3kV,加2kV减速后,落地电压仍然是3kV,但是电子枪部分变成了5kV加速。这两个状态比较,我看到的是信号要增强一些。这种增强确实是减速场的反向加速效果造成的。其实有会聚作用的透镜都有信号捕捉作用,即便没有加速场,物镜泄露的磁场本身也能捕捉信号。
但也不都是减少,氧化硅之类的导电性很差的就很好。看来我们要考虑延期验收FEI的仪器,让他们给个说法,哈哈哈。
原文由 蓝莓口香糖(drizzlemiao) 发表:
没摸过FEI的机器,两种状态下的电压是什么情况?我们这里经常遇到氧化硅材料,我觉得能看清楚的原因就是减少荷电,3-5kV看氧化硅球荷电很严重,3kV以下就好很多,而且表面细节丰富。因为是分子筛材料,内部疏松,8kV以上直接打穿,也能减少荷电,但是小球都变得光溜溜的,象半透明一样,而且景深不够,所以小球都比较模糊。只有到15kV左右,景深够大,小球才变得比较清晰。
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很少有三更半夜大家讨论得那么热火朝天的~看来SEM真的大有可观啊~
嗯,大有可为!如果你能碰到Lin女士当面请教就更大有可为了。
她是Team leader
那你太有发展前途了,艳羡啊。