主题：【讨论】钢研纳克的ICP里面有一个叫“负高压”的名词，大家知道是什么东西吗？

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原子荧光就有，难道是一个意思？

能解释一下么？

在纳克的ICP里面看到，貌似测试不同的元素有不同的负高压，一般都是几百的数值。

那我感觉真是和原子荧光的负高压功能差不多。

请问原子荧光里面的负高压有什么功能？

光电倍增管的作用是把光信号转换成电信号,并通过放大电路将信号放大。放大倍数与加在光电倍增管两端的电压(负高压)有关,在一定范围内负高压与荧光信号(荧光强度)成正比。

原文由 千层峰(jxyan) 发表:
这个负高压是指哪个部位的呢？

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原子荧光就有，难道是一个意思？

能解释一下么？

在纳克的ICP里面看到，貌似测试不同的元素有不同的负高压，一般都是几百的数值。

那我感觉真是和原子荧光的负高压功能差不多。

请问原子荧光里面的负高压有什么功能？

光电倍增管的作用是把光信号转换成电信号,并通过放大电路将信号放大。放大倍数与加在光电倍增管两端的电压(负高压)有关,在一定范围内负高压与荧光信号(荧光强度)成正比。

原来如此。

是成反比还是成正比？我感觉应该成反比才对啊，强度低的时候负高压大，信号得以放大；强度高的时候负高压小，信号不会放大太多倍数，从而不会溢出。

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原子荧光就有，难道是一个意思？

能解释一下么？

在纳克的ICP里面看到，貌似测试不同的元素有不同的负高压，一般都是几百的数值。

那我感觉真是和原子荧光的负高压功能差不多。

请问原子荧光里面的负高压有什么功能？

光电倍增管的作用是把光信号转换成电信号,并通过放大电路将信号放大。放大倍数与加在光电倍增管两端的电压(负高压)有关,在一定范围内负高压与荧光信号(荧光强度)成正比。

原来如此。

是成反比还是成正比？我感觉应该成反比才对啊，强度低的时候负高压大，信号得以放大；强度高的时候负高压小，信号不会放大太多倍数，从而不会溢出。

可能是我理解问题，我们的都是负高压加的高，信号强度就大。

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原子荧光就有，难道是一个意思？

能解释一下么？

在纳克的ICP里面看到，貌似测试不同的元素有不同的负高压，一般都是几百的数值。

那我感觉真是和原子荧光的负高压功能差不多。

请问原子荧光里面的负高压有什么功能？

光电倍增管的作用是把光信号转换成电信号,并通过放大电路将信号放大。放大倍数与加在光电倍增管两端的电压(负高压)有关,在一定范围内负高压与荧光信号(荧光强度)成正比。

原来如此。

是成反比还是成正比？我感觉应该成反比才对啊，强度低的时候负高压大，信号得以放大；强度高的时候负高压小，信号不会放大太多倍数，从而不会溢出。

可能是我理解问题，我们的都是负高压加的高，信号强度就大。

你说的没错，是我理解有误，而且表述不清楚。

负高压加得大，信号强度就大，成正比。我上面想表达的意思是，像ICP里面，比如Na和P两种元素，Na的谱线强度大，P的谱线强度小，对于Na元素，负高压数值应该就加小点，防止溢出，对于P元素，负高压数值就应该加大点，放大信号强度。

原文由 jack510070(jack510070) 发表:
ICP仪器中可能包含负高压的部件包括光电倍增管的偏压以及ICP发生器电源，后者通常不称为“负高压”，因此，这里的负高压应该就是PMT的偏压，它的确与原子荧光里的负高压指同样的对象——负高压越高，光电转换的增益越大，信号强度也越高。
只有多道光谱仪或者扫描光谱仪才会用到PMT，全谱同时检测的ICP光谱仪使用CCD线阵或面阵，不会有负高压这个概念。

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ICP仪器中可能包含负高压的部件包括光电倍增管的偏压以及ICP发生器电源，后者通常不称为“负高压”，因此，这里的负高压应该就是PMT的偏压，它的确与原子荧光里的负高压指同样的对象——负高压越高，光电转换的增益越大，信号强度也越高。
只有多道光谱仪或者扫描光谱仪才会用到PMT，全谱同时检测的ICP光谱仪使用CCD线阵或面阵，不会有负高压这个概念。

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ICP仪器中可能包含负高压的部件包括光电倍增管的偏压以及ICP发生器电源，后者通常不称为“负高压”，因此，这里的负高压应该就是PMT的偏压，它的确与原子荧光里的负高压指同样的对象——负高压越高，光电转换的增益越大，信号强度也越高。
只有多道光谱仪或者扫描光谱仪才会用到PMT，全谱同时检测的ICP光谱仪使用CCD线阵或面阵，不会有负高压这个概念。