主题:【讨论】离子进入四极杆后是如何扫描的?

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learner1999
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书上说改变射频电压,让特定m/z比值的离子通过,但是同时其它的碎片离子不就扫不到,无法通过,发生碰壁或被抽走损失掉了么?
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荆棘鸟
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learner1999
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原文由 荆棘鸟(zongguitang) 发表:对于四极杆质谱来说,是这样的,离子存不住的。
那就是质谱图并不能真实反映分子碎裂情况了?
symmacros
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质谱图可以真实反映分子碎裂情况,是在来回扫描的。
荆棘鸟
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组分出峰有一个时间段,四极杆在离子间快速切换进行扫描,离子扫描的时间都是毫秒级,所以是一个出峰时间段内离子丰度的累加。
learner1999
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原文由 symmacros(jimzhu) 发表:质谱图可以真实反映分子碎裂情况,是在来回扫描的。
谢谢,扫描速度飞快,离子们相对静止,总体效果就是都离子扫描了?
雾非雾
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通过改变加在四极杆上的电压形成不同的电场,只让选择的特定目标离子通过,到达ETP电子倍增器,而其它离子则会被撞掉或抽走。在SIM方式下,这种情况尤其明显,就是因为SIM方式下选择的离子少,所以它们被扫描到的次数就比SCAN方式下要多得多,这样检测的灵敏度也就相应高出许多。
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雾非雾
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原文由 learner1999(learner1999) 发表:
那就是质谱图并不能真实反映分子碎裂情况了?


您说的质谱图反应分子碎裂情况应该是在SCAN方式下,在全扫描的方式下,您不是要首先设定一个比较大的离子扫描范围么,比如农残检测一般是几十到好几百,只要是在这个范围内的离子都会顺利通过四极杆上所设定的电场,到达ETP电子倍增器而被记录下来,这样您就可以看到工作站上记录下来的质谱图看到目标物分子碎裂的情况了。
离子范围的设定要合理才行。
戎马一生为家国
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原文由 雾非雾(mcds) 发表:通过改变加在四极杆上的电压形成不同的电场,只让选择的特定目标离子通过,到达ETP电子倍增器,而其它离子则会被撞掉或抽走。在SIM方式下,这种情况尤其明显,就是因为SIM方式下选择的离子少,所以它们被扫描到的次数就比SCAN方式下要多得多,这样检测的灵敏度也就相应高出许多。
也就是说,sim模式扫描的离子少,对单一离子扫描的时间长,频率高,所以sim模式比scan模式灵敏度更高,是吗
learner1999
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原文由 雾非雾(mcds) 发表: 您说的质谱图反应分子碎裂情况应该是在SCAN方式下,在全扫描的方式下,您不是要首先设定一个比较大的离子扫描范围么,比如农残检测一般是几十到好几百,只要是在这个范围内的离子都会顺利通过四极杆上所设定的电场,到达ETP电子倍增器而被记录下来,这样您就可以看到工作站上记录下来的质谱图看到目标物分子碎裂的情况了。离子范围的设定要合理才行。
谢谢,scan的模式下,比如40-400 amu,扫40 amu的时候,其它的离子处于什么状态?
戎马一生为家国
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原文由 learner1999(learner1999) 发表:谢谢,scan的模式下,比如40-400 amu,扫40 amu的时候,其它的离子处于什么状态?
其他离子应该会碰壁,哈哈~等等看大神的回复
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