目前硅中的杂质测量主要的方法有ICP-OES,
ICP-MS, GDMS. 手头上有不少上述方法测量结果的对比数据,最近对这些数据进行了仔细的分析,另外还和国际上的同行进行了交流,基本上总结出了各种方法的优缺点。 理论上测量精度是ICP-OES <
ICP-MS < GDMS. 但在实际测量中根据样品的情况,不同的样品适用不同的测量方法。当样品的纯度较低时,如冶金级的硅,用ICP-OES较好, 测试速度快,费用低。当样品的纯度较高时,如果样品中杂质分布均匀,用GDMS较好,当样品中杂质分布不均匀时,由于GDMS测试取样体积很小,易造成误差,此时用
ICP-MS较好。具体来说,如果硅是用CVD, PVD之类快速凝固方法制取,则为杂质均匀分布,如果硅是用熔炼-冷却之类慢速凝固方法制取,则杂质分布不均匀,GDMS反而不如ICP和
ICP-MS方法准确。所以我们准备买一台
ICP-MS测量我们的硅锭,但不知
ICP-MS测硅中杂质B和P时具体的检测限是多少?望有知道的大侠指点。