一、相变存储器的特性和功能
相变存储器既有Nor-type闪存、Memory Nand-type闪存,也有RAM或EEpROM特定的属性。
1.1位变量
与RAM或EEPROM一样,PCM可变最小单位为1。闪存技术在更改存储的信息时需要单独的删除步骤。电流调节和管理可变存储中存储的信息可以直接从1更改为0,也可以从0更改为1,而无需单独的删除步骤。
2.非挥发性
NOR闪存和NAND闪存一样是非易失性内存。RAM需要稳定的电源供应来维持电池支援等信号。DRAM有一个缺点,也称为软错误。粒子或外部辐射引起的随机位损伤。早期英特尔的兆比特 PCM存储阵列能够存储大量数据,实验结果表明PCM具有良好的非易失性。
3.读取速度
与RAM和NOR闪存一样,PCM技术具有随机存储速度快的特点。因此,您可以直接在阵列上运行代码,PFC(功率因数校正)而无需中途复制到RAM。PCM读取响应时间类似于最小单位1位的NOR闪存,带宽类似于DRAM。另一方面,NAND闪存的随机存储时间达数十微秒,因此无法直接完成代码的执行。
4.写入/清除速度
PCM可以获得与NAND相同的写入速度,但PCM的响应时间缩短,不需要单独的删除步骤。NOR闪存的写入速度稳定,但删除时间较长。与RAM一样,PCM不需要单独的擦除步骤,但写入速度(带宽和响应时间)低于RAM。随着PCM技术的不断发展,存储设备将缩小,PCM将不断改进。
5.缩放
变焦比率是PCM的第五个不同点。由于NOR和NAND存储的结构,存储很难缩小体形。这是因为门电路的厚度是恒定的,能量计量需要10V以上的电源,CMOS逻辑语句需要1V以下。这种缩小通常是摩尔的规律,存储每缩小一次,密度就会增加一倍。随着存储设备的缩小,GST材质的体积也在缩小,PCM也在缩放。
二、内存选择和总线概念
发送到每个设备的存储器的8条线来自哪里?
那在计算机上,一般来说,这8条线不仅连接一条内存,还连接其他部件,所以这8条线在记忆和计算机之间不是专用的,所以如果总是把一个设备连接到这8条线上,那就不好了。例如,如果这个内存单位的数字是0FFH,另一个存储单位的数字是00H,那么这条线到底是00H。岂不是非要打架看谁受伤了吗?所以我们要把它们分开。方法当然很简单。如果外部线路连接到集成电路的针脚上,则无需直接连接到每个设备,只需在中间添加一组开关即可。通常只需关闭开关,将数据写入此内存,或从内存中读取数据,打开开关即可。 这套开关由三条引线选择:读控制端、写控制端和切片选择。要将数据写入片,请先选择片,然后发送写入信号,开关将关闭,传输的数据(电荷)将写入片。要读取,首先选择片,然后发送读取信号,交换机关闭后发送数据。读写信号同时连接到不同的内存,但由于切片选择不同,有读写信号,但没有切片选择信号,所以不同的内存不会“误解”,而是打开门,造成碰撞。那么,如果在不同的时候选择两个芯片呢?如果是设计良好的系统,就不会这样。因为它不是我们的人,而是由计算控制的。如果实际上同时出现了两种拔掉的情况,那就是电路坏了。这不包括在我们的讨论中。(约翰f肯尼迪)。
那么,在高温存储中的工作原理也像通过电荷使用一样。在这里,高温环境的稳定性突破是最重要的。因为温度越高,电子越活跃,在高温下保持电荷记录并存储刻录是关键。
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