主题:【求助】高纯硅中P和B的检测方法

浏览0 回复43 电梯直达
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光哥
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原文由 chauchylan 发表:
高纯硅中P和B的检测方法最好的还是用GD-MS进行分析,结果要比ICP-MS可信度高..


乱讲,实际的测试结果来看,GDMS无论是Element GD或者是VG9000,测硼的时候和其他的手段都是对不上的,尤其是多晶状态下的硅。
kiwi-kids
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原文由 xsh1234567 发表:
原文由 chauchylan 发表:
高纯硅中P和B的检测方法最好的还是用GD-MS进行分析,结果要比ICP-MS可信度高..


乱讲,实际的测试结果来看,GDMS无论是Element GD或者是VG9000,测硼的时候和其他的手段都是对不上的,尤其是多晶状态下的硅。


GD本来就是一种半定量的手段,毕竟采样的位置局限很大啊
对于超痕量分析而言,不同的分析方法的确很难对上啊
GD之所以大家都认可,主要还是未经样品处理,理论检出限低
chauchylan
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GD-MS没有样品的前处理,因此沾污和损失的可能性小些,这一点对超痕分析很重要,因此个人觉得的GD-MS分析的结果较为可信吧..

当然不同的人有不同的看法...

不对的地方还望指正啊..呵呵..
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chauchylan
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原文由 xsh1234567 发表:
原文由 chauchylan 发表:
高纯硅中P和B的检测方法最好的还是用GD-MS进行分析,结果要比ICP-MS可信度高..


乱讲,实际的测试结果来看,GDMS无论是Element GD或者是VG9000,测硼的时候和其他的手段都是对不上的,尤其是多晶状态下的硅。


以后有不对的地方,还望多批评啊...呵呵..
光哥
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原文由 jiangyunjun3 发表:
你好,又见面了.P还好说,HF除硅后,硝酸浸取.B难处理,我们一般用发射光谱直接测定,可测Xmg/kg.


呵呵,貌似在硅业里面,硼元素的含量超过5ppm的几乎是没人要的吧?ICPOES局限性也是很大阿。
chauchylan
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原文由 xsh1234567 发表:
原文由 jiangyunjun3 发表:
你好,又见面了.P还好说,HF除硅后,硝酸浸取.B难处理,我们一般用发射光谱直接测定,可测Xmg/kg.


呵呵,貌似在硅业里面,硼元素的含量超过5ppm的几乎是没人要的吧?ICPOES局限性也是很大阿。


是啊..所以在高纯分析中ICP-MS显示出其重要性了..
shangchuan
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原文由 septyaya 发表:
在高纯硅中P和B的前处理方法,由于各种原因P和B都无法测到很好,请教P和B的前处理方法

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chauchylan
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原文由 shangchuan 发表:
原文由 septyaya 发表:
在高纯硅中P和B的前处理方法,由于各种原因P和B都无法测到很好,请教P和B的前处理方法

在成品分析中用硅棒切片用红外做分析.在生产过程中的B\P都是用ICPMS.在原料中的用ICP.样品处理很简单的,你就是要买消解的设备+冷却的设备+干净1000级以上的地方,就可以了


呵呵...谢谢分享..
陇原孤鹰
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如果只有ICP-MS的情况下如何测多晶硅中的杂质?有没有成熟的方法呀?
hongdashengwu
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