【求助】高纯硅中P和B的检测方法

风起云飘舞

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2008/5/6 13:37:54 21楼管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

原文由 xnhhsdgm 发表:
如果只有ICP-MS的情况下如何测多晶硅中的杂质？有没有成熟的方法呀？

肯定没有成熟的，要有成熟的技术这个行业也就不会那么多资本家瞻望了

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kiwi-kids

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2008/5/7 9:09:53 22楼管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

这个行业最麻烦的是各个厂家的相互技术保密

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shangchuan

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2008/5/9 9:06:03 23楼管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

原文由 zhckj 发表:
原文由 xnhhsdgm 发表:
如果只有ICP-MS的情况下如何测多晶硅中的杂质？有没有成熟的方法呀？

肯定没有成熟的，要有成熟的技术这个行业也就不会那么多资本家瞻望了

当然是有的.资本家是因为自己没有这个技术所以瞻望了

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ygmy

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2008/5/9 9:15:14 24楼管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

高纯硅中P和B的检测方法最好的还是用GD-MS进行分析,结果要比ICP-MS可信度高..

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jasonchen_sino

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2008/5/9 10:50:24 25楼管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

前处理是很困难的，ICP_MS又不是万能仪器，建议考虑用其它仪器做

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kiwi-kids

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2008/5/9 13:53:03 26楼管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

原文由 ygmy 发表:
高纯硅中P和B的检测方法最好的还是用GD-MS进行分析,结果要比ICP-MS可信度高..

GD有其它的问题，不过还是这个行业最认可的技术

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chauchylan

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2008/5/10 12:19:24 27楼管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

原文由 zhengxxx 发表:
原文由 ygmy 发表:
高纯硅中P和B的检测方法最好的还是用GD-MS进行分析,结果要比ICP-MS可信度高..

GD有其它的问题，不过还是这个行业最认可的技术

GD的主要优点在于前处理非常简单,引入沾污的可能性小,不过最大的缺点在于固体标样的配制...还有基体效应吧..

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nps

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2008/5/10 23:51:14 28楼管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

原文由 zhengxxx 发表:
这个行业最麻烦的是各个厂家的相互技术保密

都是知识产权的问题，形成国家标准之后应该会好很多。现在国内几个单位应该都在抢时间制定相关国家标准吧...

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feishiyang

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2008/10/15 10:34:26 29楼管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

我也是做多晶硅中杂质的分析，我们用的是ICP-AES，能否告诉我们检测方法啊。谢谢。E-MAIL:jxnufsy@163.com

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yangsuolong

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2008/11/3 22:21:14 30楼管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

从目前来讲,国内确实没有成熟的太阳能级晶体硅，包括单晶硅和多晶硅的分析检测方法和标准。就算有点关于单晶硅用低温红外分析III-V族杂质的国家标准，也就是分析B、P、Al、As等以及取代C、间隙O杂质的分析标准，也是参考美国ASTM 标准进行的。具体的实行情况各个晶体硅生产厂家相互保密的。总的来说从4N、5N、6N主要用低温红外光谱仪来完成检测。而更高纯的还是要用到辉光放电质谱和二次离子质谱。而对于硅表面污染杂质的测定用ICP-MS和ICP光谱就可以解决。当然也有用全反射X射线荧光来检测表面污染杂质的。目前可能各个厂家没有统一，许多的关键数据的检测好像是在国外进行的。

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