原文由 icecutie 发表:
另外,如果您确实想要知道Si与O的比例的话,可以先对样品做XPS的表面清洁,然后来测Si和O的比例,这样可以消除表面污染物中的C和O的影响,含量比会更准确一点.
原文由 zuochangyun 发表:原文由 icecutie 发表:
另外,如果您确实想要知道Si与O的比例的话,可以先对样品做XPS的表面清洁,然后来测Si和O的比例,这样可以消除表面污染物中的C和O的影响,含量比会更准确一点.
我的样品后来又用Ar+对表面轰击了5min,重新做的Si-2p和O-1s的图谱,
从生成的报告来看,好像轰击之后的氧含量比轰击之前的更多了,您说这个应该怎么理解呢?我都快崩溃了。
我算的是Atomic Conc % 这一项对应的二者的比例,
大致结果如下:
未经轰击的O:Si=2.324
经轰击的O:Si=2.367
另外还做了一组相对来说温度较低的样品,其中Atomic Conc % 这一项对应的二者的比例,
大致结果如下:
未经轰击的O:Si=2.159
经轰击的O:Si=2.197
您说这个该怎么理解呢?
感谢icecutie的热心回复和热心指导。