主题:【求助】测高纯二氧化硅(5个9)中的P、B那家的ICP-MS好啊?

浏览0 回复26 电梯直达
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风起云飘舞
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原文由 ykll20062006 发表:
当然是7500cs好咯,人家是专门做这个的。

不是吧,没听说专门做B、P的
yzyxq
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建议是PE DRC II,虽然我没做过硅基体。但从我对仪器的了解来看,DRC II是消除干扰最有效的仪器。
benbensh
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原文由 ellayin 发表:
当然是7500cs好咯,人家是专门做这个的,据我所知我们行业里很多家都是用这个7500cs产品的。呵呵~


任何一家的ICP-MS测定硅基体中的P,标准曲线有谁敢贴出来的?

7500CS好在哪里,你倒是说说看?很多人都用日系车,可是没听说有钱人也喜欢这些经济型!
taolun
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我也很关心高纯硅中P的测定问题,马上就要用ICP-MS做5-6N硅中磷了.据了解不是很容易.
芝秋一叶
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我们也是作二氧化硅的,式同行了饿。但我们只要求B,P不要求
icp_icp
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原文由 wwmjczx 发表:
我们公司最近要我调研ICP-MS,主要测高纯二氧化硅(5个9)中的P、B含量,溶液中含量大约在1ppb-5ppb,硅基体约1%-2%,要想基体小,定容体积大的话,溶液中含量会更低,不知那家的ICP-MS更适合我们用,请各位高手指教!谢谢了!


如果你提供的数值准确的话,我觉得没有必要买MS,JY的ULTIMA2- B的检出限在0.3PPB左右,P稍差点在1.5个PPB,考虑到MS做P效果也不好.只是个提议
nian1210
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我们用的是热电ICP-MS,不过在溶解样品时,尽量缩短溶样时间,防止生成沉淀或被吸附。
Chelsea
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ICP-MS测定元素P本来就比较困难,目前有人采用碰撞反应模式消除干扰,还有使用加氧的方式间接测定,效果勉强可以接受;
但是,在硅基体中测定P的难度更大,楼上使用Agilent仪器的朋友是否有什么特殊的解决方案,建议拿出来与大家分享一下;
我想该测定的问题不在于使用哪家的机器,而是选择的测定方法!!
lilongfei14
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原文由 wwmjczx 发表:
二氧化硅是用HF溶解的.


那家的距管能耐氢氟酸的。
highspeed_v
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原文由 benbensh 发表:
原文由 ellayin 发表:
当然是7500cs好咯,人家是专门做这个的,据我所知我们行业里很多家都是用这个7500cs产品的。呵呵~


任何一家的ICP-MS测定硅基体中的P,标准曲线有谁敢贴出来的?

7500CS好在哪里,你倒是说说看?很多人都用日系车,可是没听说有钱人也喜欢这些经济型!


7500cs 确实是半导体专用的,名字里就能看得出来,C(cell)S(semiconductor),半导体有哪家不做B,P的?不像PE的DRC II,明明是一款高端点的通用仪器,还要骗用户是半导体专用。

仪器好不好都是自己体会的,说有什么用?各个厂家说自己的仪器的特点能说一年,有用吗?没用过其他厂家的仪器,个人觉得安捷伦的应用支持和服务做的比较好
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