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ID:camelxiangzi
行业:其他
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ID:FRANKC
原文由 camelxiangzi 发表:刚才上网查了查,好像极少有这方面的报道呢。如果不行的话 应该用什么测比较好呢。
原文由 camelxiangzi 发表:非常感谢,我想问一下,与反应池的相比是不是要差很多呢。
ID:zsdzsdzsd
原文由 FRANKC 发表:原文由 camelxiangzi 发表:非常感谢,我想问一下,与反应池的相比是不是要差很多呢。 碰撞反应池主要消除一定含量的Si基体对某些测定元素的干扰。普通的不带碰撞反应池的四极杆ICPMS,如果直接进样分析Si基体样品,那些受到Si基体干扰的元素测定结果必定不准确。没有碰撞反应池,又要分析Si基体样品,怎么办?在样品前处理上想办法,把Si基体赶走。
ID:zengyiwen
ID:nps
原文由 FRANKC 发表:ICPMS 已用来分析半导体中的多晶硅,单晶硅,硅表面的痕量杂质,附应用文章一篇。相关附件
ID:icp-ms
ID:zhengxxx
ID:chauchylan
原文由 camelxiangzi 发表:非常感谢,我想问一下,普通的不带反应池的四极杆质谱与反应池的相比是不是要差很多呢。
ID:donna6656