主题:【求助】求中文的TEM相关的书籍,同时分享威廉姆斯那本经典教材

浏览0 回复28 电梯直达
天黑请闭眼
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原文由 ontheroad(ontheroad) 发表:
谢老师好!
我有眼不识泰山,望您见谅啊!


别听版主乱捧啊,我在这里就是经常来混个脸熟罢了。很多东西都是在这里看帖学到的,俺知道的那点皮毛,在这里都是最基础的。
天黑请闭眼
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原文由 蓝莓口香糖(drizzlemiao) 发表:
日本也就芝麻粒大,你有啥不懂的直接奔到谢老师那里当面问不就行了?或者搞个合作也行呀。


大阪到我这,必须坐飞机的说,有空在这里发帖,高手如云啊,比找我强多了。
天黑请闭眼
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原文由 ontheroad(ontheroad) 发表:
下面就是我最近测的一张图,我用等离子将碳化硅的表面氧化了。
所以最下面有二氧化硅,但是二氧化硅跟碳化硅的界面处有一黑层,这个怎么解释比较好呢?
是由于试样厚度不均匀?变质层Si-C-O?
请各位前辈指点啊?
初学TEM,什么都不懂,让各位前辈了。。。。。。



俺不懂啊,大概是衍射衬度吧,版主们上啊,我去搬个板凳.........
蓝莓口香糖
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谢老师总是这么谦虚,所谓“行走江湖,以德服人”,真是我辈楷模。
那些漂浮在界面上的乌云看起来确实象衍射衬度造成的结果,究竟是不是和成分有关就不好说了。
ontheroad
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原文由 天黑请闭眼(shxie) 发表:
原文由 ontheroad(ontheroad) 发表:
下面就是我最近测的一张图,我用等离子将碳化硅的表面氧化了。
所以最下面有二氧化硅,但是二氧化硅跟碳化硅的界面处有一黑层,这个怎么解释比较好呢?
是由于试样厚度不均匀?变质层Si-C-O?
请各位前辈指点啊?
初学TEM,什么都不懂,让各位前辈了。。。。。。



俺不懂啊,大概是衍射衬度吧,版主们上啊,我去搬个板凳.........


谢老师,你的意思是不是说中间那一层由于结晶状况改变了,从而产生的衍射衬度吗?
有没有可能是氧原子渗入中间那一层,部分取代C原子,形成Si-C-O,最后得到上面这样的图?
ontheroad
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原文由 蓝莓口香糖(drizzlemiao) 发表:
谢老师总是这么谦虚,所谓“行走江湖,以德服人”,真是我辈楷模。
那些漂浮在界面上的乌云看起来确实象衍射衬度造成的结果,究竟是不是和成分有关就不好说了。


版主,您终于现身了。
我以前用XPS测过氧化后的碳化硅表面的成分,得到的结果是有SiO2,SiC也有少量的Si-C-O。
您觉得用TEM的话,怎么才能确定中间的那一黑层是什么成分啊?
用EDS吗?
蓝莓口香糖
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EDS分析轻元素有点不太靠谱,不过你可以试试EDS线扫,看看是不是有明显的成分波动。另一个路子是使用和EELS有关的方法,过滤像,线扫都可以。过滤像分析可能会简单一点。
洪星二锅头
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原文由 蓝莓口香糖(drizzlemiao) 发表:
EDS分析轻元素有点不太靠谱,不过你可以试试EDS线扫,看看是不是有明显的成分波动。另一个路子是使用和EELS有关的方法,过滤像,线扫都可以。过滤像分析可能会简单一点。


我觉得EELS效果会好点,EDS对于轻元素的确挺不靠谱,即使线扫,这么小的区域我感觉也不一定能有明显的区别
ontheroad
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原文由 coime(coime) 发表:
原文由 蓝莓口香糖(drizzlemiao) 发表:
EDS分析轻元素有点不太靠谱,不过你可以试试EDS线扫,看看是不是有明显的成分波动。另一个路子是使用和EELS有关的方法,过滤像,线扫都可以。过滤像分析可能会简单一点。


我觉得EELS效果会好点,EDS对于轻元素的确挺不靠谱,即使线扫,这么小的区域我感觉也不一定能有明显的区别


多谢前辈指点,最近用EELS试试看。
天黑请闭眼
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EDS分析轻元素有点不太靠谱,不过你可以试试EDS线扫,看看是不是有明显的成分波动。另一个路子是使用和EELS有关的方法,过滤像,线扫都可以。过滤像分析可能会简单一点。


我觉得EELS效果会好点,EDS对于轻元素的确挺不靠谱,即使线扫,这么小的区域我感觉也不一定能有明显的区别


多谢前辈指点,最近用EELS试试看。

.......EELS都有,太有福气了。
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