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ID：xsh1234567
行业：其他
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原文由 timstoICPMS(timstoICPMS) 发表:原文由 envirend(envirend) 发表:1.硅 咱没有测过，从作者知道硅难测啊；当然ICP-MS主要是测金属。2.硅和氩相差一个m/z。Si Ar 相差一个质荷比？您可以请辞了。SiO产率并不高，SiOH产率最高。因此可以测 28Si16O1H 45amu质量峰。PE DRC系列可在 动态反应池中通氧；Agilent 7700系列可在稀释气中通氧。
原文由 envirend(envirend) 发表:1.硅 咱没有测过，从作者知道硅难测啊；当然ICP-MS主要是测金属。2.硅和氩相差一个m/z。
ID：m3088218
原文由 光哥(xsh1234567) 发表:这个~~~如果是在dilution gas气路中通氧，Si和O及H结合生成SiOH，但是还是要通过ICP的高温吧？那不是又分解掉了？LS是否打错了？应该是在ORS中通氧的？
ID：Ins_7511474f
原文由 xujianguang(xujianguang) 发表:1.硅是非重金属 一般比较难测 不稳定2. 硅的分子量是40 存在氩气的严重干扰 因此不用ICPMS测定
原文由 光哥(xsh1234567) 发表:今天测了一个，基本是2%高纯硝酸中的Si，曲线是20、50、100ppt，线性还可以。H2模式下，测28硅还真心不受Ar的干扰
原文由 Ins_7511474f(Ins_7511474f) 发表:用硝酸配Si单标曲线，要现配现用，会变的很快，隔天就不一样了，我有过经验。MQ直接配会好一些？
ID：Insm_4d39d866
原文由 曾SY(Insm_4d39d866) 发表: 没说使用的仪器型号都是耍流氓，假如我A家8900三重四极杆随便测。楼主万一是7900以下的单杆呢
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