主题:【分享】【实战宝典】如何进行H2SO4分析?

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题描述:如何进行H2SO4分析?
解答:
高纯度硫酸(H2SO4)一般用于清洗硅片上的元件,蚀刻所有上面的金属杂质及有机杂质。用于制造半导体的硫酸或任何其他化学物质,其中的杂质能严重影响设备质量和产率。比如,热处理步骤中,铁和铜能在硅中迅速扩散产生缺陷,导致设备性能降级。钠杂质可以通过晶片氧化物沿着Si/SiO2 界面迅速扩散,这会在栅极氧化层中产生电压变化,并最终产生与设备操作相关的问题。随着芯片变得高度集成化,对于小型芯片的需求越来越大,半导体制造对使用的化学物质纯度要求越来越高。10纳米晶圆厂使用的化学物质中允许的污染物水平可能不足以支撑5纳米的技术。

样品制备与分析

在半导体晶圆厂中,35%-38% 的盐酸是最常使用的,也较容易从供应商处获取。用于分析时,一般都使用超纯去离子水稀释两倍。在半导体晶圆厂中,最常用的是98%H2SO4。对于ICP-MS 分析,一般用超纯水进行稀释10倍后上机分析。

典型的仪器工作参数

RF 功率 ()1500 W
RF 功率()700 W
QID打开
检测模式脉冲
积分时间1 s
重复次数3


主要的质谱干扰

m/z

Interference

Analyte

39

38ArH

K

40

40Ar

Ca

51

SO, SOH

V

52

SO, SOH

Cr

56

40Ar16O

Fe

64 - 68

S2, SO2

Zn

70 - 74

ArS

Ge

98

H232S16O4

Mo



质谱干扰去除方式

采用反应模式和冷等离子体两者结合使用的方式去除大多数的多原子离子干扰。为使用反应模式的效率最大化,可以使用 100% 氨气进行on-mass 干扰去除多原子离子干扰干扰,使用100% 氧气或氨气进行mass shift 进行分析物转移。

10% H2SO4中的检出限和背景等效浓度



以上内容来自仪器信息网《ICP-MS实战宝典》
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