你说的PMT,PDA,CCD,CID包括CMOS图像传感器都是光电器件。因此,许多参数应该是相同的。
光电倍增管属于真空光电器件,而其他属于半导体光电器件。
简单地说最直接的就是光电转换效率用量子效率来表示,在光电倍增管上与此相关的参数有:阴极灵敏度,红蓝比,(因为阴极灵敏度使用指定色温的光的积分灵敏度)有时就用光谱响应曲线来描述。在半导体光电器件中也有量子效率的参数。定义为一个入射光子产生光电子或光电荷的效率。决定了对弱光测定的能力。
第二方面:有关读出,有暗电流(两者都有)读出噪声(或信躁比)等参数。
对于现代的高速测量,还有一个参数:响应时间。
光电倍增管采用多级打拿极放大,所以又有放大倍数的概念,指一定电压下,电流放大倍数,也可以用阳极灵敏度来代替。
此外,还有线性范围,输出电流或信号与入射光强的关系。
对于半导体光电器件有一参数是真空光电器件没有的,那就是阵元密度和总阵元数。它代表着,元件对图像的分辨本领。
您说的光电倍增管电压是仪器参数,他由很多因素决定,例如:灯的质量,所选谱线,光谱通带,光学系统的性能,以及PMT本身性能。不是光电倍增管的参数。它只表明仪器光学的状态。
我不知道是否回答了你的问题。sorry yangxiaotao