chauchylan回复于2009/04/11
看了些ICP-MS书,似乎多原子产生的途径主要有两种,
1 由于等子体与工作线圈存在电容耦合
2 在Skimmer cone 后存在二次放电
这种认识似乎已达成共识..
yzyxq回复于2009/03/24
我觉得这个讲法是对。
多原子离子的产生本身概率很小,只是产生多原子离子的量比检测水平高很多,所以即使产生的概率很低,产生的量也会对低水平测量产生影响。
ICP-MS教程往往很强调这类干扰,但事实上,我觉得指示在食品行业,这类干扰并不大,改善前处理,优化参数,一般都可以降低到一个可以忽略的水平。乱用干扰方程往往画蛇添足。
lilongfei14回复于2009/03/21
一般认为,多原子离子并不存在于等离子体本身中,而是在离子的引出过程中,由等离子体中的组分与基体或大气中的组分互相作用而形成。
wjf318回复于2009/04/22
高温使元素电离,但是这个电离是相对的,只是达到一个电离平衡而已,一部分电离的同时,另一部分又重新碰撞结合,一般形成双原子或离子的机会大,三个及以上的机会很少,可以忽略