主题：【已应助】氘灯和赛曼扣背景有什么区别，哪个更好？

原文由 jewel(JEWEL512003) 发表:
氘灯校正属于连续光源校正，采用两个光源工作，一个是氘灯，一个是空心阴极灯。空心阴极灯是溅射放电灯，氘灯是气体放电灯，这两种光源放电性质不同，能量分布不同，光斑大小不同，调整光路平衡比较困难，影响校正背景的能力。由于背景空间、时间分布的不均匀性，导致背景校正过度或不足。由于光源光学性质的差异使其扣除背景的误差在±10%。因此在测定分析过程中只有平衡好两个光源的能量和几何外型的完全重合，才能达到满意的校正效果，否则扣背景的可靠性将大大降低，并且出现扣除过度的现象。

氘灯能量在短波比较强，因此主要用于190nm～350nm（大部分元素的灵敏线也在这个区域）分子背景和散射的校正，不能用于校正结构背景（自吸、塞曼校正可以）。氘灯的能量较弱。使用它校正背景时，不能用很窄的光谱通带，共存元素的吸收线有可能落入通带范围内吸收氘灯辐射而造成干扰。

目前，氘灯有三种技术：普通氘灯校正、四线氘灯校正技术、氘空心阴极灯校正技术。普通氘灯技术是大多数厂家在用的。四线氘灯校正技术是热电公司提出来的，是在原来的基础上加了个辅助电极，可提高校正时的信噪比和灯的稳定性，据报道对高达2A的背景校正误差小于2%。而且寿命会长些。氘空心阴极灯校正技术是耶拿公司提出来的，因光源接近，所以说扣背景更准确些。其余各厂家的仪器几乎全都具备普通氘灯校正装置。

简而言之，氘灯校正的优点：是其校正时灵敏度损失为零。

氘灯校正的缺点：是只能在190-350nm下校正；只能校正分子背景和散射，不能用于校正结构背景；氘灯属于卤素灯，1小时后就易产生漂移；寿命短。

原文由 初学者&九点虎(zhouyuhu) 发表:
我采用最简单的办法，用质控样，那个做的好，就用那个

原文由 jewel(JEWEL512003) 发表:
石墨炉原吸都采用塞曼背景校正技术。石墨炉强制使用塞曼技术，是因为Ag、As、Be、Cd、Cr、Pb、SB、Se、Tl这9种元素背景校正不允许使用氘灯法。

塞曼背景校正分四种：
采用塞曼效应组合的方式很多，主要包括吸收线调制法(即校正装置加在原子化器上的)的横向恒定直流磁场校正技术、横向交变磁场校正技术、纵向交变磁场校正技术、3-磁场背景校正四种方式。
直流塞曼采用恒定磁场调制方式，其吸收线成分分开得不够彻底，测定灵敏度比常规原子吸收法有所降低。日立采用。
其他家采用可变磁场凋制方式，测定灵敏度已接近常规原子吸收法。横向交变磁场要使用偏光器（固定或旋转），理论上光能量损失50﹪，在＜200nm时高达75﹪，导致信噪比和检出限降低，且当∏、σ±成分严重重叠时，测定的灵敏度会有所降低，而采用纵向交变磁场将会避免上述问题，因此，纵向交变磁场相对于横向磁场来说有较好的信噪比和检出限。纵向交变磁场PE采用。横向交变磁场热电采用。
耶拿采用2、3-磁场塞曼背景校正，两种模式可任意切换，大大提高了石墨炉线性范围。3-磁场校正技术相对普通交变2-磁场而言，除0磁和高磁外，还有一个中间磁，而且可以根据被分析物的浓度，调节最佳的中间磁场强度。该技术主要是考虑普通校正的灵敏度低、线形范围小（比普通2-磁场的线形范围能提高1个数量级），使用时可以根据实际情况对不同元素、不同背景，采用不同的磁场强度来扣除复杂的结构背景，获得分析最佳的灵敏度。

原文由 abcdefghijkl123(abcdefghijkl123) 发表:
我知道分析酱油中的铅时,因为酱油是高盐的基体,用赛曼扣背景的话,铅不容易激发出来,而使得测定的数值偏低,要改用氘灯扣背景的方法,测得的效果更好些,不过,通常情况,我们都是使用赛曼扣背景的,只有遇到高盐基体时改用氘灯扣背景