主题:【求助】炬管的距离怎么调

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timstoicpms
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原文由 豆豆3252(v2868110) 发表:
谢谢 ,但是我们公司的设备比较老,没有中文。没有些图。


(1) Sample Depth 采样深度,相当于 Z轴。热焰采样深度通常是8mm,冷焰采样深度通常是18mm。
Torch Horizontal / Vertical 炬管水平/竖直位置,相当于 X、Y轴,可在调谐界面手动调节这两个数值,使得信号最大即可。切记:这两个数值是相对值。


或者(2)点击上图 Auto 图标,让仪器自动优化 质量轴/分辨率、炬管水平/竖直位置。 但别让仪器自动优化 Lens,透镜参数直接参考 http://bbs.instrument.com.cn/shtml/20140525/5324040/  8楼文档

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2014/5/29 13:34:05 Last edit by timstoicpms
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谢谢 ,但是我们公司的设备比较老,没有中文。没有些图。


非常感谢,您看在nogas模式下调成这样可以吗?

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非常感谢,您看在nogas模式下调成这样可以吗?



你这是 7700x,不是7700s 啊。因为7700s 是面向半导体高纯测试的型号,基体相对简单,是没有稀释气 dilution gas。
光哥
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谢谢 ,但是我们公司的设备比较老,没有中文。没有些图。


非常感谢,您看在nogas模式下调成这样可以吗?





Cell Entrance的电压和Cell Exit电压相差20V,且Entrance的电压比Exit高,你的参数反过来了。另外,氧化物和双电荷的指数还是略高,至少可以调一个回来。
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2014/5/29 17:29:01 Last edit by xsh1234567
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非常感谢,您看在nogas模式下调成这样可以吗?



你这是 7700x,不是7700s 啊。因为7700s 是面向半导体高纯测试的型号,基体相对简单,是没有稀释气 dilution gas。


呃。。。7700s机型也有这个参数可选的。
豆豆3252
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非常感谢,您看在nogas模式下调成这样可以吗?



你这是 7700x,不是7700s 啊。因为7700s 是面向半导体高纯测试的型号,基体相对简单,是没有稀释气 dilution gas。


是7700S  测试半导体金属痕量的
豆豆3252
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谢谢 ,但是我们公司的设备比较老,没有中文。没有些图。


非常感谢,您看在nogas模式下调成这样可以吗?





Cell Entrance的电压和Cell Exit电压相差20V,且Entrance的电压比Exit高,你的参数反过来了。另外,氧化物和双电荷的指数还是略高,至少可以调一个回来。


谢谢,我想问一下,得从哪开始调,我以前没调过,怕调完结果更不好。
timstoicpms
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原文由 光哥(xsh1234567) 发表:
Cell Entrance的电压和Cell Exit电压相差20V,且Entrance的电压比Exit高,你的参数反过来了。另外,氧化物和双电荷的指数还是略高,至少可以调一个回来。


赞同光哥!Cell Entrance = -30 V,Cell Exit = -50V,QP Bias = -5V

调谐经验靠个人摸索积累,特别是在半导体高纯测试。你试着调节 RF Power、采样深度、载气与补偿气流速,以降低氧化物/双电荷产率。
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豆豆3252
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原文由 光哥(xsh1234567) 发表:
Cell Entrance的电压和Cell Exit电压相差20V,且Entrance的电压比Exit高,你的参数反过来了。另外,氧化物和双电荷的指数还是略高,至少可以调一个回来。


赞同光哥!Cell Entrance = -30 V,Cell Exit = -50V,QP Bias = -5V

调谐经验靠个人摸索积累,特别是在半导体高纯测试。你试着调节 RF Power、采样深度、载气与补偿气流速,以降低氧化物/双电荷产率。


十分感谢,节日快乐哦!
竹新采
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我们每次移动炬管后进行灵敏度调谐时都要微调一下炬管横纵轴啊,会有变化的
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