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ID:zhckj
行业:其他
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ID:zhengxxx
原文由 zhckj 发表:ICP-MS,半导体行业,做标准曲线,标准加入法,总是出现才加标的第一点总是在曲线下方,为什么?是因为负污染还是因为加标的第一点融入到硝酸基体中,所得的计数值就低点?或者需要注意什么?当相关系数r为两个9时,这样做出来的数据可以吗?
ID:wenhuih
原文由 zhengxxx 发表:原文由 zhckj 发表:ICP-MS,半导体行业,做标准曲线,标准加入法,总是出现才加标的第一点总是在曲线下方,为什么?是因为负污染还是因为加标的第一点融入到硝酸基体中,所得的计数值就低点?或者需要注意什么?当相关系数r为两个9时,这样做出来的数据可以吗?基体是硅还是其它的
原文由 wenhuih 发表:线形为2个九时,误差比较大,尤其半导体行业,最起码应该在3个九以上吧。
ID:nps
原文由 zhckj 发表:原文由 zhengxxx 发表:原文由 zhckj 发表:ICP-MS,半导体行业,做标准曲线,标准加入法,总是出现才加标的第一点总是在曲线下方,为什么?是因为负污染还是因为加标的第一点融入到硝酸基体中,所得的计数值就低点?或者需要注意什么?当相关系数r为两个9时,这样做出来的数据可以吗?基体是硅还是其它的是硅,
ID:chauchylan
ID:taolun
原文由 zhckj 发表:现在延长样品的进样稳定时间了,基本解决了低点偏低的状态。只是每次每个浓度点进样两次,然后再修改曲线,去除高点,不知道这样的做法是否可取?