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原文由 renxin 发表:
場發射晶體的正常發射直徑在20納米左右﹐這個值是由晶體的尖端直徑直接決定的﹐不像鎢絲槍﹐只要加熱到適當溫度﹐電子自己會向陽極即地運動﹐場發射槍需要施加牽引電壓(EXTRACTOR V)將電子牽引出陰極到第一陽極﹐然後施加通常的加速電壓以得到電子束。
還有一個電壓叫壓縮電壓(SUPRESSOR V)﹐工作原理和鎢絲槍的偏壓電路(BIAS V)類似。
關斷燈絲電流(FILAMENT I)會同時切斷上述兩個電壓﹐晶體尖端在沒有上述兩電壓的作用下﹐尖端會收縮﹐導致尖端變圓﹐直徑增大﹐最終導致發射電子束直徑增大﹐系統分辨率明顯變壞。
一旦尖端變圓﹐這個過程便不可逆。
熱場尖端被ZRO環包裹﹐以增加發射電子束的強度﹐這也是為什麼它被成為熱場的原因。
過頻地開關晶體槍﹐會導致ZRO環過早墜落﹐一旦ZRO墜落﹐整個過程也不可逆。
冷場晶體不使用ZRO環﹐溫度明顯降低﹐解析度有所提高﹐但穩定性也變壞﹐還有﹐真空要求明顯高很多﹐運營成本大大高于熱場﹐最後﹐冷場發射電流過細﹐不適合作能量譜分析。
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谢谢指教！如能详细说明更好。可能很多网友都希望了解。
