原文由 光哥(xsh1234567) 发表:
Si基体没弄干净,导致Si在锥上又生成SiO2了?看看锥表面是不是和以前不太一样了?
用HF HNO3混合酸泡泡锥尖,以前我也这么干过
Cool Plasma的调谐指标变了么?以前是59>25000,同时39 40<1000 56<100
原文由 苹果贝(v3061498) 发表:
新换的采样锥;截取锥用稀硝酸棉签擦过水冲洗(看着和新的一样);放大看锥孔无变形和扩大;但结果还是不行。
对半导体用的是1ppb调谐液,冷模式下厂家就要求Co大于1000,其他敏感元素Na K Al Ca Fe<100即可。
但现在我测得水中敏感元素特别是Na几乎10cps,调谐信号降低,同时水中和纯酸中的敏感元素信号降了5-6倍,个人怀疑是灵敏度下降所致。但一直找不到有效措施改善。
此外RSD偏大,也找不到有效措施改善。焦急中……
还想请教的是:怎么判断Si基体去干净了没呢
原文由 苹果贝(v3061498) 发表:
新换的采样锥;截取锥用稀硝酸棉签擦过水冲洗(看着和新的一样);放大看锥孔无变形和扩大;但结果还是不行。
对半导体用的是1ppb调谐液,冷模式下厂家就要求Co大于1000,其他敏感元素Na K Al Ca Fe<100即可。
但现在我测得水中敏感元素特别是Na几乎10cps,调谐信号降低,同时水中和纯酸中的敏感元素信号降了5-6倍,个人怀疑是灵敏度下降所致。但一直找不到有效措施改善。
此外RSD偏大,也找不到有效措施改善。焦急中……
还想请教的是:怎么判断Si基体去干净了没呢