这里我说错了,纠正一下。
电子和光子一样,也能使CCD芯片直接感光。最早是Prof. Chapman 在1982年尝试用CCD直接对电子束曝光。但是使CCD中的Si产生电子-空穴对的能量只需3.64 eV, 而TEM中电子入射能量是80-1000keV。结果就是即使只要一个入射电子,就能产生几万个电子。所以CCD一下子就饱和了。(当然如果需要对电子极端敏感的探测器,直接曝光的CCD倒是个好办法)。而且高能电子对CCD芯片容易造成损害。
所以左健民老师和Prof. spence设计了现在的非直接法,即通过scintillator如单晶YAG先将电子信号转换为光子信号。光子信号再通过光纤(或棱镜,一般TEM CCD不使用)耦合到CCD 传感器。
原文由 templus 发表:
胶片的电子感光和光子感光原理相同。电子打到胶片上,直接使卤化银分解,形成银单质(电子首先撞击卤素离子,使之电离释放出自由电子,自由电子再与银离子结合形成银单质)。由于电子的能量要比光子高很多,所以电子的感光效率要高于光子。一个电子就可以导致10个卤化银颗粒分解,而大约10个光子才能使一个卤化银颗粒分解。这也就是为什么胶片的感光颗粒虽然细腻,但实际成像的分辨率并没有那么高的原因。同时,由于电子能量高,穿透深,因此TEM中使用的底片要比普通感光胶片厚,这样电子束在穿过感光层后,不至于被衬底反射回来二次感光。
但是CCD却不同。因为CCD只对光子有作用。因此TEM中的CCD,都是在最上面装一个电光转换元件(闪烁体),将电子强度信号转化为光信号。通常用YAG(钇铝石榴石)晶体.由于CCD可以敏感至捕获一个电子,因此看似分辨率没有胶片高,但是实际上并不比胶片差。