我们公司用agilent的
ICP-MS7500cs测试单晶硅片表面的金属。先用HF溶解下硅表面,再用
ICP-MS测试HF的金属浓度,然后扣除HF的背景,换算回去为硅表面金属。
以前测试出来结果都是:Al 5E+10atoms/cm2 其他金属(K Ca Na Mg Fe Cu CO Mn Cr )1E+10atoms/cm2
最近测试出来结果变为:Al 70E+10atoms/cm2左右了, 其他金属( Mg Fe Cu CO Mn Cr )还好,1E+10atoms/cm2 的样子。(K Ca Na )5E+10atoms/cm2
变高的很快,也就1,2天时间变了上去了。 中间时间没测什么特别的东西。
即:Al变高了10倍以上,K Ca Na变高了5倍,其他金属没变。
测试全厂硅片都一样,所以怀疑厂务或
ICP-MS自己的问题。
ICP-MS方面:
可能会存在Al沉积问题,因为有时(测试频率一定的)会测Al很高(10000E+10atoms/cm2)但以前也测,频率没变过。
雾化器,雾化室,巨管,锥都洗过好几次。就透镜还没洗。
调谐ok的。RSD 3.5%左右,有点高了。
一直用冷浆600w测试。
厂务方面:
怀疑厂务水部干净:
看水中Al的信号值(count)由以前的20变成80左右了,但用标准加入法测试的话,Al的含量没什么变化,维持8ppt左右,
Ar气压力比以前有点不稳定。
怀疑厂务抽风可能有变化,但我们没装压力表。
或者冷却水的压力?
但以上三项好想和Al没多大关系。没有足够的证据去说服厂务安装。
大家能不能帮忙想想,什么东西会让Al突然变高10倍,希望能从ICP和厂务两方面找原因。