主题:【求助】请教关于Si的ICP-MS 检测,达人请指教,谢谢!

浏览0 回复27 电梯直达
molybdenum
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原文由 szyf983 发表:
最近碰到一些样品需要检测Si,但是我连基本的校准曲线作的都很差,
麻烦各位达人请指教:我使用的是7500cs。

应该使用什么手法做检测呢?

PS, 有人做过磷(P)的碰撞反应池检测吗?是检测31还是47呢?
如果用冷激光模式,能够达到多大的检出限?

以上两个元素检测非常的让我头痛,任何有想法的大家请积极发言,我也好集思广益。谢谢了。







不知道你是什么样品,如果是硅酸盐类样品,消解的时候用到HF,生成的SiF4是挥发性的,可能有损失,这个可能是校准曲线作的很差主要原因吧。好像用碱熔可以避免这个问题,理论上应该是可行的。


测P的话应该问题不大,可以将所有的干扰元素检测一下,排除叠加的部分再试试。
286018212
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冷激光模式(cool plasma?)
做P可能不会太好,毕竟P的电离能很高


原文由 szyf983 发表:


PS, 有人做过磷(P)的碰撞反应池检测吗?是检测31还是47呢?
如果用冷激光模式,能够达到多大的检出限?


szyf983
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我的Si样品是半导体使用的高纯有机或者无机化学品里面的Si污染。


关于磷的检测,你们所说的去除叠加效应指的是?
如果用反应池,用He好还是H2好一些
(气体供应纯度很高,管理标准就是6个9)

请赐教
可珑
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原文由 szyf983 发表:
最近碰到一些样品需要检测Si,但是我连基本的校准曲线作的都很差,
麻烦各位达人请指教:我使用的是7500cs。

应该使用什么手法做检测呢?

PS, 有人做过磷(P)的碰撞反应池检测吗?是检测31还是47呢?
如果用冷激光模式,能够达到多大的检出限?

以上两个元素检测非常的让我头痛,任何有想法的大家请积极发言,我也好集思广益。谢谢了。


这两个元素是很头疼啊
SI我们肯定不做 的
我们的水都达不到要求
P做过,不是很理想
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zengyiwen
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原文由 szyf983 发表:
最近碰到一些样品需要检测Si,但是我连基本的校准曲线作的都很差,
麻烦各位达人请指教:我使用的是7500cs。

应该使用什么手法做检测呢?

PS, 有人做过磷(P)的碰撞反应池检测吗?是检测31还是47呢?
如果用冷激光模式,能够达到多大的检出限?

以上两个元素检测非常的让我头痛,任何有想法的大家请积极发言,我也好集思广益。谢谢了。


我觉得还是得看是什么样品,如果主含量是SI可不可以考虑用其他的手段来测定啊,如果不是,要重点优化你的样品处理方法和仪器条件(标准曲线很差)
  P的测定,我个人了解,用ICP/MS做的效果都不是很好,你要了解一下P的结合形式,是单质还是氯化物什么形式,如果是化合物的形式可以考虑用GC来解决哦
  我估计你也是做材料行业的吧,有问题大家交流学习拉 QQ:332556452
梦想飞的泡泡鱼
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最近碰到一些样品需要检测Si,但是我连基本的校准曲线作的都很差,
麻烦各位达人请指教:我使用的是7500cs。

应该使用什么手法做检测呢?

我以前在公司就是专门做金属材料中硅、锰、磷、铜、铁、镉等检测,由于公司是国有企业,检测方法是用分光光度计,用硫酸加热消解,显色后在用光度计测定,用的仪器是最常见722N。后来公司买了台硅、锰、镉、镍的专门检测仪器,可惜现在离开了,很多步骤都不记得,就连以前用过的一些仪器规格也不知道,真是很失败啊
annoande
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Frankc
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你具体样品是什么?样品如何处理的? 监测范围多少?

Si28 受到N14N14和C12O16的干扰,Si29同样受到14N14NH和12C16OH的干扰.
P31受到14N16OH的干扰.这些干扰来自,Ar气(N2,O2,CO2 etc),水,HNO3,等.

7500cs,H2部分可以消除Si的干扰,背景(BEC)可以1~2ppb.调的好,BEC~0.5ppb, DL~30ppt.调机时用DIW检查背景,Si标液看灵敏度,maximize sensitivity, minimize background.Si信号不稳,点火后多烧几个小时在测.

H2对P31的干扰没用,He相对好一点,He+ED背景(BEC)可以降到<50~100ppb,或许Xe的效果会好一些,没试过.

用Cool plasma,测PO47可以试,Ti47再Cool plasma下不会电离,所以不会干扰. BEC<1ppb, DL<1ppb


光哥
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原文由 Rainwolf_Q 发表:
什么性质的样品?水样浓缩后用硅钼蓝配合紫外不行吗?好像没有必要用ICP-MS啊。固体样品就更好说了,先用碱提取再测,需要注意的是尽量采用PP材料的器皿。


完全可以证明,在10ppm以上的磷样,用化学法不一定比ICP-MS
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