当前,制备非晶的方法主要有淬火法和气相沉积法。
快冷法又分为铸膜法和甩带法,适合于制备大块非晶。
气相沉积法分为真空蒸发法、化学气相沉积法、脉冲激光沉积法和磁控溅射法。
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
磁控溅射法制备非晶样品有其独特的有点,下面主要介绍下磁控溅射制备非晶样品的原理。
电子在电场E的作用下,在飞向基板的过程中与氩气原子发生碰撞,使其电离出氩离子和一个新的电子,电子飞向基片,氩离子在电场作用下飞向阴极靶,并以高能量轰击靶的表面,使靶材发生溅射。在溅射的过程中,溅射离子,中性的靶原子或分子即可在基片上沉积形成膜。
综上所述,磁控溅射的基本原理就是以磁场来改变原子的运动状态,并束缚和延长原子的运动轨迹,从而提高电子对工作气体的电离几率和有效地运用了电子的能量。这也体现了磁控溅射低温、高效的原理。
常用的TEM样品以TEM载网为基片。TEM载网是直径为3nm,厚为20μm,网格间距为80μm,最底下一层铜或者钼,上面覆盖一层约为5nm厚的无定形碳作为支撑膜。
利用磁控溅射法制备沉积的薄膜就沉积在这种TEM载网的无定形碳的支撑膜上,为了减少非弹性散射对衍射数据的影响,在实验过程中尽可能制备厚度比较小的薄膜厚度,约为15nm-20nm,这样制得的样品就可以直接在透射电子显微镜中进行直接的表征。