主题：【求助】HRTEM分辨率

原文由 querida 发表:

原文由 ustb 发表:
2010UHR的点分辨率为0.19nm，但点阵分辨率为0.14nm，使用高欠焦值成像可能会观察到0.14nm的结构细节，只不过这些细节不能直接解释，必须进行图像处理或图像模拟。可以用多层法先算一下。

如果实际欠焦并不是很离谱呢
在最佳欠焦附近

原文由 querida 发表:
如果实际欠焦并不是很离谱呢
在最佳欠焦附近

原文由 iamikaruk 发表:
可能是非线性成像原理导致的

原文由 querida 发表:

原文由 iamikaruk 发表:
可能是非线性成像原理导致的

是的
有可能存在电子通道效应（channeling effect），这种非线性效应可以使得细节更清楚从而分辨出dunbbell，但是这个不能说电镜的点分辨本领提高。
值得注意的是在一般的HRTEM中，非线性效应是尽量避免的，因为高分辨图像不好解释。这也就是为什么我不能使用最佳欠焦附近的参数模拟出高分辨图像的原因吧。

原文由 iamikaruk 发表:
channelling effect和nonlinear imaging是两回事，channelling effect只决定了极限分辨率。唯一避免nonlinear imaging的方法就是薄样品和轻原子，这可以通过extinction length估计出来。如果出现了nonlinear imaging，成像不受信息极限限制。
一般还是做系列欠焦，看在那些条件下图像可能吻合。

原文由 drizzlemiao 发表:

原文由 iamikaruk 发表:
channelling effect和nonlinear imaging是两回事，channelling effect只决定了极限分辨率。唯一避免nonlinear imaging的方法就是薄样品和轻原子，这可以通过extinction length估计出来。如果出现了nonlinear imaging，成像不受信息极限限制。
一般还是做系列欠焦，看在那些条件下图像可能吻合。

给大家讲得详细点吧。比如通道效应如何对图像分辨率产生影响？非线性成像究竟为什么叫非线性，为什么不受信息极限的限制？
我们要问一，答二，知三，提出一个问题，学到更多知识。