主题:【求助】ICP-MS,氧化物干擾比例 - Ceo/Ce成為表徵 <====為什麼???

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andy1791
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各位先進:

小弟接觸ICP-MS的時間不算長
因此看了一些關於干擾形成的資訊

其中對於氧化物干擾比例中以Ceo/Ce成為表徵
這個一直不太了解,為什麼??
這應該有什麼依據才是

所以希望各位先進可以幫忙為小弟解惑
謝謝!!!


以下是我所看到氧化物干擾比例表
===================================
元素    MO鍵強度 (kJ/mol)    MO+/M+
===================================
Rb    255    5.5 x 10-7
Cs    297    2.8 x 10-8
Co    368    1.7 x 10-5
Pb    409    1.2 x 10-5
Fe    427    1.1 x 10-5
Cr    512    3.6 x 10-5
Al    563    1.1 x 10-5
Ba    597    8.3 x 10-5
P    607    3.7 x 10-3
Mo    619    9.5 x 10-4
Sm    662    2.3 x 10-3
Ti    760    1.8 x 10-3
Zr    795    4.7 x 10-3
Si    799    1.5 x 10-3
Ce    795    1.3 x 10-2(最大)====================================
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andy1791
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我大概知道原因噜
因為Ce最容易起氧化反應
所以以此依據
應該是這樣吧

yzyxq
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楼主非常善于思考。确实是这个原因。如果Ce的氧化物能控制在2%或3%以下,那其它氧化物的生成就更低了。
测Ba的双电荷离子的比例也是类似的道理。
kiwi-kids
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CeO的氧化键最难于打破,而且比较容易测定,也有产品把BaO作为指标的,其比例比CeO要低一些。
andy1791
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嗯嗯!!
真是感謝大家的意見
希望能大家一起成長
感謝!!
a_lei82
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Ce具有比较高的氧化物键强度,这类元素通常都有最高的氧化物离子产率,因此一般仪器用CeO/Ce的比率来表征仪器的氧化物干扰水平
以质谱优
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应该这样思考:这么高的键能氧化物含量能控制到5%以下,其他的氧化物含量就该更小了。大家都视为CeO氧化物最难电离。
快乐的小石头
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我非常同意楼主和楼上几位的意见,我在想会不会也有别外一种原因就是咱们在测定时很少要求测Ce这个元素呢。我觉得你们说的应该是主要原因,我这个也可能是一方面的原因。
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